SK Hynix: Massenfertigung von 48‑Layer‑3D‑NAND in Kürze

8.11.2016 17:19 Uhr

Nachrichten aus Südkorea: Der Speicherhersteller SK Hynix will Ende des Monats mit der Massenproduktion der nächsten 3D-NAND-Generation beginnen. Dabei handelt es sich um 3D-NAND mit 48 Zellschichten (Layer). Die nachfolgende Generation soll über 72 Layer verfügen.

Bei 3D-NAND-Flash liegen anders als bei planarem 2D-NAND-Flash die Speicherzellen in mehreren Ebenen übereinander. Dadurch lässt sich die Speicherdichte steigern, ohne auf noch kleinere Strukturbreiten bei der Fertigung zurückgreifen zu müssen. Mit der bei 2D-NAND immer weiteren Verkleinerung der Strukturen rücken auch die Zellen immer dichter zusammen, was zu steigenden Interferenzen führt, worunter die Haltbarkeit leidet. 3D-NAND bietet in der Regel sowohl in puncto Speicherdichte und Haltbarkeit als auch bei Leistung und Energieeffizienz Vorteile.

3D-V4 mit 256 Gbit und TLC

Die Berichte aus Korea gehen auf nähere Details zum neuen 3D-NAND von SK Hynix nicht ein. Doch kann es sich nur um die auf dem Flash Memory Summit angekündigte vierte Generation (3D-V4) handeln, die SK Hynix bereits im aktuellen NAND-Flash-Katalog (PDF, Direktdownload) aufführt. Der 3D-NAND V4 speichert drei Bit pro Zelle (TLC) und besitzt eine Kapazität von 256 Gigabit pro Die. Die Verfügbarkeit der Speicherchips wird im verlinkten Dokument für das zweite Quartal 2017 angegeben.

Kapazitäten für 3D-NAND sollen wachsen

Die monatliche Produktionsmenge an 3D-NAND wolle SK Hynix bis zum Jahresende auf 20.000 bis 30.000 Units (Wafer) steigern. Dann soll der neue Speichertyp rund 15 Prozent des NAND-Flash-Ertrags ausmachen. Allerdings bleibt nach wie vor DRAM das größte Standbein des Herstellers. Bei DRAM ist SK Hynix hinter Samsung der zweitgrößte Hersteller, bei NAND-Flash ist das Unternehmen (noch) die Nummer vier.

Jetzt 48 Layer und danach?

Auch Toshiba und SanDisk (nun Western Digital) fertigen bereits BiCS-Flash mit 48 Zellschichten und planen 64 Layer für das kommende Jahr. Bei SK Hynix soll der nächste Schritt (3D-V5) im zweiten Halbjahr 2017 über 72 Layer verfügen. Die fünfte Generation war zumindest bereits auf einer Roadmap ein Thema. Samsung wird voraussichtlich noch in diesem Jahr mit der Serienfertigung der vierten Generation des V-NAND beginnen und mit 512 Gigabit die höchste Kapazität pro Die bieten. Aktuell gebührt die Kapazitätskrone IMFT (Intel/Micron) mit 384 Gigabit auf 32 Zellebenen.