Samsungs 3D V-NAND der 2. Generation mit 32 Lagen

Samsung hat mit der Massenproduktion der zweiten Generation des sogenannten 3D V-NAND Flash-Speichers begonnen, bei dem 32 Lagen Speicherzellen übereinander gestapelt werden. Gleichzeitig kündigte das Unternehmen an, sein SSD-Portfolio mit 3D V-NAND auf High-End-PCs auszuweiten.

Details zu den neuen SSDs bleibt Samsung allerdings weitestgehend schuldig. Der Pressemitteilung lässt sich lediglich entnehmen, dass die V-NAND-SSD in Kapazitäten von 128 GB, 256 GB, 512 GB und einem Terabyte produziert wird. Ein Produktbild offenbart zudem, dass als Interface auch weiterhin SATA 6 Gb/s genutzt wird. Weder ein Produktname noch Preise oder ein Verfügbarkeitsdatum werden genannt.

Auch wenn einige wichtige Fragen offen bleiben, steht doch zumindest fest, dass die neuen SSDs im Gegensatz zur ersten Produktgeneration, die auf den Einsatz in Rechenzentren beschränkt war, auch den Weg in Endanwendersysteme finden werden. Die neuen V-NAND-Chips bieten zudem mit 32 Lagen Speicherzellen eine nochmals erhöhte Speicherdichte, da bei der ersten Produktgeneration nur 24 Lagen übereinander gestapelt wurden.

Der vertikale Aufbau der Speicherchips bei V-NAND bietet jedoch nicht nur eine höhere Speicherdichte. Samsung verspricht zusätzlich eine im Vergleich zu herkömmlichem, planaren MLC-NAND längere Lebensdauer und eine geringere Leistungsaufnahme. Entsprechende SSDs sollen rund doppelt so viele Schreibzyklen überstehen und eine etwa 20 Prozent geringere Leistungsaufnahme aufweisen.

Im Laufe des Jahres sollen zusätzlich zu den nun angekündigten SSDs auch noch „Premium SSDs“ auf Basis der V-NAND-Speicherchips erscheinen, die eine noch höhere Zuverlässigkeit und höhere Speicherdichten bieten sollen.