Samsung: NVMe-SSD mit bis zu 3,2 TB 3D V-NAND

Samsung schreitet bei der Einführung neuer SSD-Modelle weiter zügig voran. Das Unternehmen hat mit der Produktion neuer NVMe-SSDs (Non-Volatile Memory Express) mit bis zu 3,2 Terabyte 3D V-NAND begonnen, die für den Einsatz in Hochleistungsserversystemen konzipiert wurden.

Die SM1715 genannten PCI-Express-Karten im HHHL-Format (Half-Height Half-Length) sind ein Upgrade zu der erst vor einigen Monaten vorgestellten Samsung XS1715 mit bis zu 1,6 Terabyte 3D V-NAND, die zwar ebenfalls NVMe unterstützt, aber nicht als Steckkarte sondern im 2,5-Zoll-Format gefertigt wird.

Die SM1715 soll nun mit 1,6 Terabyte oder 3,2 Terabyte nicht nur doppelt so viel Speicherplatz bieten, sondern auch bei der Leistung und der Zuverlässigkeit nochmal zulegen. Die sequenzielle Leistung gibt Samsung mit bis zu 3.000 MB/s beim Lesen und bis zu 2.200 MB/s beim Schreiben an. Bei wahlfreien Zugriffen sollen bis zu 750.000 IOPS beim Lesen und bis zu 130.000 IOPS beim Schreiben erreicht werden.

Das garantierte Schreibvolumen beziffert Samsung über einen Zeitraum von fünf Jahren mit zehn DWPD (Drive Writes per Day). Im Falle des 3,2-TB-Modells summiert sich dies auf 58,4 Petabyte, bei der 1,6-TB-Variante sind es entsprechend 29,2 Petabyte.

Konkurrenz für die SM1715 und die XS1715 gibt es unter anderem von Hitachi. Die Anfang September vorgestellte Hitachi Ultrastar SN100 unterstützt ebenfalls das NVMe-Protokoll und ist mit bis zu 3,2 Terabyte Speicherkapazität wahlweise als HHHL-Steckkarte oder im 2,5-Zoll-Format erhältlich. Da Hitachi selbst über keine NAND-Produktion verfügt, werden die MLC-Speicherchips für die Ultrastar SN100 bei Toshiba zugekauft.