Samsung Serie 840 Pro im Test: SDD mit 256 GB und MDX-Controller
Einleitung
Noch vor zwei Jahren kam Samsung-SSDs der Serie 470 im Endkunden-Geschäft eine Außenseiterrolle zu. Seitdem hat sich jedoch einiges geändert, mit der Einführung der auch im Vergleich mit der Konkurrenz sehr leistungsstarken Serie 830 und speziell im Zuge des Preisverfalls der letzten Monate haben sich Samsungs SSDs zu echten Verkaufsschlagern entwickelt. Seit Kurzem ist nun mit der Serie 840 Pro das neue SSD-Flaggschiff des südkoreanischen Elektronikriesen auf dem Markt und soll mit einer noch höheren Leistung an den Erfolg des Vorgängers anknüpfen.
Samsung Serie 840 Pro im Überblick
Der relativ geringe Unterschied in der Namensgebung zwischen der Serie 830 und der Serie 840 (Pro) könnte einen vermuten lassen, dass sie sich technisch nur wenig unterscheiden. Doch der Schein trügt, Samsung hat bei den neuen Solid State Drives alle wichtigen Teile durch neue, leistungsstärkere Komponenten ersetzt. Kernstück der Serie 840 Pro ist der neue, selbst entwickelte „MDX“-Controller mit drei ARM-Cortex-R4-Kernen und hardwarebasierter AES-256-Verschlüsselung. Im Vergleich zum Vorgänger „MCX“ bietet der neue Controller nicht nur eine höhere Rechenleistung pro Megahertz Taktfrequenz – 1,66 DMIPS/MHz zu 1,19 DMIPS/MHz –, sondern arbeitet auch noch mit einer höheren Taktrate von 300 Megahertz. Ebenfalls verbessert wurde die Energieeffizienz, die Samsung beim neuen Modell mit 9 DMIPS/mW angibt. Als Speicherinterface kommt wieder SATA 6 Gb/s zum Einsatz.
Die in 21 Nanometer Strukturbreite gefertigten MLC-NAND-Speicherchips der Serie 840 Pro verfügen über ein Toggle-DDR-2.0-Speicherinterface, das mit einer Datenrate von 400 Mbit/s eine deutliche Steigerung zu den 133 Mbit/s der Speicherchips in der Serie 830 bedeutet. Die 256-GB-Version der SSD 840 Pro ist mit acht dieser Speicherchips – einem pro Speicherkanal – bestückt.
Zur Senkung der Leistungsaufnahme trägt der neue DRAM-Cache bei, der je nach Speicherkapazität des Solid State Drives 256 oder 512 MB groß ist. Statt des mit 1,8 Volt arbeitenden DDR2-DRAMs in der Serie 830 stellt Samsung dem MDX LPDDR2-DRAM zur Seite, das mit einer 33 Prozent niedrigeren Spannung von 1,2 Volt arbeitet. Die für den Self-Refresh des LPDDR2-Chips nötige Leistung gibt Samsung mit 1 mW, der DDR2-Chip der Serie 830 benötigt im Vergleich dazu mit 14,4 mW deutlich mehr. In Summe gibt Samsung für die SSD im Mobilemark 2007 eine typische durchschnittliche Leistungsaufnahme von 0,069 Watt an. Davon unabhängig soll die typische Leistungsaufnahme mit aktiviertem Device Initiated Power Management (DIPM) 0,054 Watt betragen, ohne 0,349 Watt.
Die eingeschränkte Garantie von 5 Jahren gilt bei der Nutzung in Client-PCs und bei bis zu 40 Gigabyte Hostwrites pro Tag.
| Samsung SSD 830 | Samsung SSD 840 | Samsung SSD 840 Pro | |
|---|---|---|---|
| Format (Höhe) | 2,5 Zoll (7 mm) | ||
| Schnittstelle | SATA 6 Gb/s | ||
| Kapazitäten | 64, 128, 256, 512 GB | 120, 250, 500 GB | 128, 256, 512 GB |
| Controller | MCX (220 MHz) | MDX (300 MHz) | |
| NAND-Flash (Fertigung) | Toggle DDR MLC (27 nm) | Toggle DDR 2.0 TLC (21 nm) | Toggle DDR 2.0 MLC (21 nm) |
| Cache | 256 MB DDR2-SDRAM | 256 MB (120/128 GB) / 512 MB LPDDR2-SDRAM | |
| Seq. Lesen (max.) | 520 MB/s | 530 MB/s (120/128 GB) 540 MB/s |
|
| Seq. Schreiben (max.) | 160 MB/s (64 GB) 320 MB/s (128 GB) 400 MB/s (256/512 GB) |
130 MB/s (120 GB) 250 MB/s (250 GB) 330 MB/s (500 GB) |
390 MB/s (128 GB) 520 MB/s (256/512 GB) |
| Random Read (max.) | 75.000 IOPS (64 GB) 80.000 IOPS (128/256/512 GB) |
86.000 IOPS (120 GB) 96.000 IOPS (250 GB) 98.000 IOPS (500 GB) |
97.000 IOPS (128 GB) 100.000 IOPS (256/512 GB) |
| Random Write (max.) | 16.000 IOPS (64 GB) 30.000 IOPS (128 GB) 36.000 IOPS (256/512 GB) |
32.000 IOPS (120 GB) 62.000 IOPS (250 GB) 70.000 IOPS (500 GB) |
90.000 IOPS |
| MTBF | 1,5 Mio. Stunden | ||
| Garantie | 3 Jahre | 5 Jahre | |
Die Leistung, die Samsung für die Serie 840 Pro angibt, ist beachtlich. Bis zu 100.000 IOPS bei Random Reads und sequenzielle Transferraten von bis zu 540 MB/s versprechen die Koreaner. Sogar beim sequenziellen Schreiben sollen noch bis zu 520 MB/s erreicht werden.