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NewsTSMC: Neuer 12-nm-Prozess – zumindest auf dem Papier
Im Rennen um den fortschrittlichsten Fertigungsprozess geht TSMC den nächsten Schritt. Nachdem Globalfoundries einen 12-nm-FD-SOI-Fertigungsschritt angekündigt hatte, zieht TSMC nun ebenfalls mit einem 12-nm-Prozess nach. Dahinter verbirgt sich nach aktuellem Stand aber nur eine optimierte 16-nm-Fertigung.
So ein Quatsch, das zerstört doch jegliche Vergleichbarkeit.
Wenn jetzt ein wirklicher 10nm-Prozess kommt, wäre das ein massiver Fortschritt, aber die Masse denkt "Och, ob 10nm oder 12nm, das ist doch völlig wumpe".
Naja, letztenendes kommt es darauf an dass der Chip das tut was er soll, von daher.
Fd-SoI ist aber ein planarer Prozess und da passt GF's Vergleich zu einen fiktiven 10 nm Bulk Prozess. Der in der News erwähnt 7nm Prozess von GF ist aber ein FinFet Prozess mit SoI.
Der erwähnte 10nm Prozess von TSMC ist ein Bulk-Finfet Prozess.
Klar, kann das Marketing von TSMC sein, weil GF mit dem 12nm Fd-SoI einen günstigen Prozess anbieten will. Ich glaube speziell bei Moden und andere Chips ist der FD-SoI Prozess interessant.
solang der energieverbrauch um 50% sinkt und gleichzeitig die leistung steigt, ist mir egal wie die das machen.. sollen se es 1nm prozess nennen oder 50nm …
für den verbrauch ist leistung/verbrauch die wichtige konstante.
Die Vergleichstabelle (Bild 3) ist mit Vorsicht zu genießen, es handelt sich um Samsungs 14FF LPE, der längst durch 14FF LPP ersetzt ist, sowie um TSMCs 16FF, der nie in Massenproduktion ging, da TSMC den 16FF+ nach vorne gezogen hatte.
Bei beiden sinken die Abmessungen dadurch auf 78nm Contacted Gate Pitch und 64nm Interconnect Pitch.
BTT:
TSMC versucht wohl gegenüber Samsung & GloFo den Spieß umzudrehen. Die hatten sich ja vorher mit dem "14nm"-Namen abgesetzt, nun macht TSMC mit dem "12nm"-Namen dasselbe Spiel(chen)...
