Pilotproduktion für 450-mm-Wafer und 7 nm von TSMC angepeilt
Asiatische Medien berichten heute in Berufung auf die chinesisch-sprachige Tageszeitung Economic Daily News (EDN), dass TSMC größere Flächen Land nahe seiner bestehenden Fabriken gekauft hat, um dort eine Anlage für die Pilotproduktion von 450 mm großen Wafern zu bauen.
Die Konstruktion der neuen Fertigungsanlage soll im Jahr 2016 beginnen und 2017 fertiggestellt werden. Neben der Testproduktion von den sogenannten 18 inch wafer soll dort auch die Forschung und Entwicklung für den 7-nm-Fertigungsprozess vorangetrieben werden. Parallel zu der neuen Anlage soll auch in der aktuellen Fab 15 ab 2017 mit dem langsamen Umstieg auf die 450-mm-Wafer begonnen werden.
Der Entwicklungsfahrplan würde zu den jüngsten Meldungen über die Roadmap zu den kommenden Fertigungsschritten passen. Nach der 20-nm-Fertigung im nächsten Jahr steht bereits für Ende 2013 der Beginn der 16-nm-Produktion samt 3D-Transistoren, FinFET genannt, an. Der nächste große Schritt auf 10 nm soll Ende 2015 erfolgen, 7 nm für Ende 2017, wie sie die neuen Medienberichte preisgeben, würden demnach in die globale Roadmap passen.
