Toshiba stellt MRAM für Mobilgeräte in dieser Woche vor

Seit etwa eineinhalb Jahren arbeitet Toshiba – teils gemeinsam mit Hynix – an sogenanntem Magnetoresistance Random Access Memory, kurz MRAM. Dahinter verbirgt sich eine nichtflüchtige Speichertechnologie, die als Ersatz des herkömmlichen DRAM Verwendung finden soll.

Gegenüber Computerworld stellte das japanische Unternehmen erste konkrete Ergebnisse in Aussicht. Sprecher Atsushi Ido erklärte, dass man auf dem turnusmäßigen Treffen der IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) Details präsentieren werde. Ob dann auch Angaben zur geplanten Serienfertigung und dem daraus resultierendem Serieneinsatz getätigt werden, ist unklar. Bislang verzichtete Toshiba darauf, konkrete Termine zu nennen – generell hält man sich mit Informationen sehr zurück.

Bekannt ist lediglich, dass die Strukturen kleiner als 30 Nanometer ausfallen werden und die Spin-Torque-Technologie angewendet wird. Dahinter verbirgt sich die Nutzung der Elektronendrehung, um die Ausrichtung des magnetischen Bits festzulegen. Davon verspricht man sich deutliche Energieeinsparungen, eines der wesentlichen Ziele bei der MRAM-Entwicklung.

Toshiba selbst geht davon aus, dass sich mit dem neuen Speicher der Energieverbrauch von Mobilprozessoren um zwei Drittel senken läßt. Gleichzeitig soll auch die Geschwindigkeit gesteigert werden, nicht aber die Speicherkapazität, so Atsushi Ido.