Micron liefert Hybrid Memory Cube mit 160 GB/s aus

Zwar gab es bereits vor zwei Jahren einen ersten Prototypen des Hybrid Memory Cube (HMC) zu sehen, doch erst jetzt werden Muster des neuartigen DRAM-Speichers ausgeliefert, wie Hersteller Micron verkündet. Der „Speicherwürfel“ soll enorme Datentransferraten von 160 GByte/s ermöglichen.

Laut Micron werden die ersten HMC-Muster mit 2 Gigabyte Kapazität nun ausgeliefert. Modelle mit 4 Gigabyte sollen Anfang 2014 folgen. Erst im späteren Verlauf 2014 werde mit der Massenfertigung beider Größen begonnen. Zunächst soll der schnelle Speicher in Enterprise-Umgebungen mit hohem Bedarf an Speicherdurchsatz Verwendung finden. Der Hersteller erwartet aber, dass künftige HMC-Generationen „binnen drei bis fünf Jahren“ auch im Consumer-Bereich Einzug halten werden.

Die ersten Chips bestehen aus vier mittels TSV übereinander „gestapelten“ 4-Gigabit-Dies, woraus sich das Speichervolumen von insgesamt 2 Gigabyte ergibt. Die DRAM-Schichten werden, ebenfalls via TSV-Verbindungen, direkt auf einen Steuerungschip (On-Chip-Controller) aufgesetzt, was für enorme Leistungssteigerungen gegenüber herkömmlichen DRAM-Modulen sorgen soll. Der Hersteller gibt eine Übertragungsrate von 160 Gigabyte pro Sekunde an, womit die für den ersten Prototyp genannten 128 GByte/s noch übertroffen werden. Zum Vergleich: DDR3-1600-DRAM bringt es auf 12,8 GByte/s und selbst der neue DDR4-DRAM liegt mit einer maximalen Transferrate von 25,6 GByte/s (DDR4-3200) deutlich zurück. Darüber hinaus soll die HMC-Lösung „bis zu 70 Prozent weniger Energie pro Bit“ benötigen als herkömmliche Technologien.