Neue Transistor-Technik von Intel und QinetiQ

In Zusammenarbeit mit Forschungspartner QinetiQ hat Intel auf Basis des Halbleiters Indium-Antimonid (InSb) neue Quanten-Schacht-Feldeffekttransistoren entwickelt. Dank der Materialeigenschaften sollen diese trotz eines gehörigen Geschwindigkeitsvorteils deutlich weniger Strom verbrauchen als aktuelle Transistoren.

Diesen Vorteil verdankt InSb seinen physikalischen Eigenschaften. Denn im Vergleich zu allen bis Dato bekannten Halbleitern steht Indium-Antimonid bezüglich der Elektronen-Mobilität und der Elektronen-Geschwindigkeit deutlich an erster Stelle. Im direkten Duell gegen aktuelle Silizium-MOSFETs zeigt Intels Neuentwicklung beeindruckende Ergebnisse. Bei gleicher Leistung ist die Verlustleistung der InSb-Transistoren fünf bis zehn mal geringer, denn durch die bei Raumtemperatur 50 mal höhere Elektronenmobilität begnügen sich die InSb-Transistoren mit einer Spannung von gerade mal 0,5 V.

Einerseits könnte es dadurch in Zukunft deutlich sparsamere Prozessoren geben, auf der anderen Seite werden aber auch wieder schnellere Prozessoren möglich. Was die Miniaturisierung anbelangt, ist die Silizium-Forschung allerdings noch ein Stück voraus. Während man sich mit InSb-Transistoren gerade auf Gate-Längen zwischen 200 und 400 nm vorgekämpft hat, ist Intels hauseigene 65-nm-Forschung auf Silizium-Basis bereits bei Gate-Längen von 35 nm angelangt.

All denen, die sich noch ein wenig genauer mit den Details beschäftigen wollen, sei zudem das offizielle PDF-File auf der QinetiQ-Seite ans Herz gelegt.