Samsung fertigt 512-Mbit-DDR2-RAM in 70 nm

Samsung hat die nächste Stufe in der Herstellung von Speicherchips erreicht. Das Unternehmen meldet, man habe die Entwicklung des ersten im 70-Nanometer-Prozess gefertigten 512-Megabit-DDR2-SDRAMs abgeschlossen.

Durch die Verwendung der 70-nm-Technologie soll die Zahl der produzierten Chips pro Wafer im Vergleich zur 90-nm-Technologie, welche heutzutage eingesetzt wird, verdoppelt werden. Die Massenproduktion auf Basis der neuen Technologie soll ab der zweiten Jahreshälfte 2006 einsetzen, wobei Chips mit 512 Megabit, einem oder zwei Gigabit produziert werden sollen.

Samsung zufolge soll der 70-nm-Fertigungsprozess unter anderem auf der Metal-Insulator-Metal-Kondensatortechnik (MIM) und einer 3D-Transistor-Architektur namens „Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor“ (S-RACT) basieren, welche Samsung auf den VLSI-Symposien in 2004 und 2005 vorgestellt. Erst durch sie sollen die Beschränkungen von gestapelten DRAM-Zellen beseitigt und die Refresh-Zeiten verbessert werden.

Kundschaft für die erhöhte Produktionskapazität erhofft sich Samsung durch die Einführung der neuen Spielkonsolen Xbox 360, Playstation 3 und Nintendo Revolution, der neuen G3-Mobiltelefone und Microsofts Windows Vista. Auch Gartner Dataquest rechnet mit einer weiter steigenden Nachfrage. In einem im Mai 2005 veröffentlichten Bericht prognostiziert das Unternehmen einen Umsatz von 26,2 Milliarden US-Dollar für 2005, welcher sich bis 2008 auf 29,1 Milliarden US-Dollar steigern soll.