Elpida liefert DDR3-Notebook-Speicher in 30 nm aus

Der japanische Speicherhersteller Elpida kündigt an, erste Muster von DDR3-SO-DIMMs mit 4 GByte Kapazität auszuliefern, die auf Speicher-Chips mit einer Strukturbreite von 30 nm basieren. Durch das kleinere Herstellungsverfahren werden günstigere Chips mit geringerem Energiebedarf und potentiell höheren Frequenzen ermöglicht.

Bei den neuen 4-GByte-Modulen für mobile Computer kommen sechzehn 2-Gigabit-DDR3-SDRAM-Chips in 30 nm zum Einsatz. Gegenüber Elpidas 40-nm-DRAMs soll sich der Strombedarf im Betrieb um 20 Prozent und im Standby um 30 Prozent verringern. Die Betriebsspannung gibt der Hersteller mit 1,5 Volt an. Die maximale Datentransferrate soll bei 1.866 MBit/s liegen. Der geringere Energieverbrauch soll vor allem Notebooks, Netbooks, Tablets oder ähnlichen Geräten zu Gute kommen und deren Akkulaufzeit erhöhen. Die Massenproduktion der Speichermodule soll im ersten Quartal 2011 beginnen.

Samsung hatte erst kürzlich sparsame 4-GBit-DDR2-Chips der 30-nm-Klasse für Mobilgeräte angekündigt.