Sparsame 2-Gbit-DDR3-Chips in 30 nm von Samsung

Samsung hat nach eigenen Angaben mit der Massenproduktion sparsamer 2-Gbit-DDR3-Speicherchips in einem Prozess der 30-nm-Klasse (zwischen 30 und 39 nm) begonnen, die Anfang des Jahres angekündigt wurden. Sie sollen sowohl bei Server-, als auch bei Desktop-Speichermodulen zum Einsatz kommen und die Leistungsaufnahme senken.

Bei einer Speicherspannung von 1,35 Volt sollen sich die Chips mit bis zu 1.866 MHz betreiben lassen, während mit 1,5 Volt bis zu 2.133 MHz erreicht werden sollen. Gegenüber 50-nm-DDR3-Chips sollen bei Serveranwendungen Energieeinsparungen von rund 20 Prozent möglich sein. Für das Ende des Jahres plant Samsung weiterhin die Vorstellung von 4-Gbit-Chips, mit denen sich Server-Module von bis zu 32 GB, sowie Desktop- und Notebook-Module mit bis zu 8 GB realisieren ließen.