Microns neue Speichertechnik 20 Mal schneller als DDR3?
Der US-Amerikanische Speicherhersteller Micron arbeitet an einer neuen Speichertechnik mit der sich die Performance aktueller DRAM-Module um den Faktor 20 steigern lassen soll. Insbesondere soll die derzeit limitierende Bandbreite durch die „Hybrid Memory Cube“-Technik enorm erhöht werden.
Aktuell seien die Datenkanäle zwischen Prozessor und Arbeitsspeicher der limitierende Faktor für die Speicherleistung, wodurch eine immer höhere Geschwindigkeit der DRAM-Chips aufgrund mangelnder Bandbreite nicht effektiv genutzt werden könne.
„There's a growing wall between the kind of performance we can get off the DRAM and then getting all of that data over to the processor itself....“
Brian M. Shirley, vice president of DRAM Solutions at Micron
Der „Hybrid Memory Cube“ (HMC) soll diesen Flaschenhals – in dem Bericht von CNet als „memory wall“ bezeichnet – weitgehend beseitigen und somit das volle Leistungspotenzial von DRAM-Speicher zur Entfaltung bringen. Dieser „Speicherwürfel“ besteht aus mehreren DRAM-Schichten (DRAM Layer), die direkt auf einem Steuerungschip (Logic Layer) mittels TSV-Verbindungen (Through-silicon via) aufgesetzt werden. Solch ein „Stapel-RAM“ ist allerdings nicht neu und wird zum Beispiel schon von Samsung in speziellen RDIMMs eingesetzt. Der On-Chip-Controller ist aber schließlich die wirkliche Neuerung und soll für den enormen Performance-Schub sorgen.
„We've rearchitected in a way to get through this memory wall and deliver a staggering amount of DRAM bandwidth directly to the processor," he said. "20X. Those are real numbers. A credible, defendable number. And there's room to grow on top of that.“
Brian M. Shirley, vice president of DRAM Solutions at Micron
Bis diese Technik in unserem Alltag Einzug halten wird, sollen aber noch einige Jahre ins Land ziehen. Erste Industrielösungen auf deren Basis sollen sich zwar bereits ab 2012 bzw. 2013 in höheren Stückzahlen zeigen, entsprechende Endkundenprodukte erwartet man aber erst 2015 oder 2016.
Neben der erhöhten Speicherbandbreite sollen HMCs gegenüber aktuellem DRAM auch Energie sparen und zudem deutlich weniger Fläche benötigen, was alleine schon durch die vertikale Ausrichtung erreicht werden dürfte.
