Samsung mit 8 GB Speicherriegel

Samsung hat ein 8 GB Speichermodul (DDR) angekündigt, das aus zweiundsiebzig monolithischen 1-Gigabit(Gb)-Bausteinen besteht. Durch den Einsatz der 0,1 µm Prozesstechnologie erfüllt das neue DRAM-Modul die Höhenbegrenzung des JEDEC-Standards von 1,2 Zoll bei gleichzeitiger Maximierung der Speicherkapazität.

Das hochkompakte Modul ist konzipiert für den Einsatz in High-End-Servern, Workstations und speziellen Anwendungen wie etwa Echtzeit-Datenverarbeitung in Video-Konferenz-Systemen, medizinische Ferndiagnose, interaktive Kommunikation, Satelliten-Kommunikation, integrierte persönliche Datenkarten und 3D-Grafik. Diese Anwendungen sind es auch, die den Markt antreiben

Das 8 GB Modul ist in zwei Varianten der so genannten Package Stacking Technologie (Gehäuse-Stapel-Technologie) erhältlich: Als Zweifachstapel von 1 Gb-DDR-DRAMs im Thin-Small-Outline-Package (TSOP) oder als Vierfachstapel von 1 Gb-DDR-DRAMs im Finepitch-Ball-Grid-Array(FBGA)-Gehäuse auch bekannt als Multi-Stack-Package (MSP). Beim 8 GB-Modul, das auf 1 Gb-DDR-DRAM im TSOP-Gehäuse basiert, sind sechsunddreißig zweifach gestapelte TSOPs in zwei parallelen Neunerreihen auf jeder Platinenseite plaziert. Das Modul, das auf die Chips im FBGA-Gehäuse basiert, verwendet achtzehn vierfach gestapelte FBGAs in zwei Neunerreihen, mit einer Reihe auf jeder Platinenseite.

Nach der Einführung des 1 Gb-DDR-DRAMs im Dezember 2002 und des 4 GB-Moduls im Januar 2003, stellen die 8 GB-DDR-DRAM-Module einen weiteren Meilenstein dar. Samsung hat bereits mit der Bemusterung der 8 GB Module für führende Server-Hersteller begonnen. Den geplanten Verkaufspreis nannte der Halbleiterhersteller leider nicht.