NAND-Flash von Samsung in 30 nm

Gut ein Dreivierteljahr nach der Bekanntgabe der Kundenbemusterung mit 16-GBit-NAND-Flash-Speicherchips für Solid-State-Disk (SSD) in der 50-nm-Prozesstechnologie hat Samsung heute die Entwicklung des weltweit ersten 64-GBit-NAND-Flash-Speicherchips (Multi Level Cell – MLC) in 30-nm-Prozesstechnologie bekannt gegeben.

Laut Samsung lassen sich bis zu 16 der neuen Chips mit einer Gesamtkapazität von 128 Gigabyte auf herkömmlichen Speicherkarten kombinieren. Neben dem 64-GBit-Chip hat Samsung auch einen 32 GBit großen NAND-Flash-Speicherchip (Single Level Cell – SLC) entwickelt, der auf der gleichen Fertigungstechnologie basiert.

Zur Massenproduktion der neuen Chips, die Anfang 2009 für die 32-GBit-Variante anlaufen soll, wird Samsung vorhandenes Fotolitografie-Equipment einsetzen. Auf diesem Weg möchte Samsung den Prozess wesentlich beschleunigen und die Wirtschaftlichkeit der Fertigungslinien ohne zusätzliche Investitionen verbessern. Samsung geht davon aus, dass die Produktion der 64-GBit-Variante ebenfalls noch im Jahr 2009 starten kann.

Laut Gartner Dataquest könnte der Umsatz mit NAND-Flash-Chips mit 64 GBit und höheren Kapazitäten in nur drei Jahren (von 2009 bis 2011) einen Wert von bis zu 20 Milliarden US-Dollar erreichen.