Samsung kündigt erstes MCP mit PRAM an

Samsung hat angekündigt im Laufe dieses Quartals mit der Auslieferung des ersten Multi Chip Packages mit PRAM zu beginnen, das für Mobilgeräte vorgesehen ist. Der 512 Mbit große PRAM-Chip ist auf Hardware- und Softwareebene abwärtskompatibel zu 40-nm-NOR-Flash und soll sich daher von Designern leicht implementieren lassen.

PRAM speichert Daten auf Basis der Phasenwechsel-Charakteristika seines Grundmaterials, einer Legierung aus Germanium, Antimon und Titan. Die Leistung beim Speichern von Daten soll pro Wort drei Mal so hoch sein wie bei NOR-Flash und so die Kombination der nicht-flüchtigen Natur von Flash-Speicher mit den Geschwindigkeitsvorteilen von DRAM ermöglichen. Zudem übersteht PRAM deutlich mehr Schreibzyklen als bisherige Flash-Speicher und benötigt bei gleicher Kapazität weniger Platz auf dem Wafer. Die Massenproduktion von PRAM hat Samsung erstmals im vergangenen September auf Basis eines 60-nm-Prozesses begonnen.