TSMC: Grundsteinlegung für neue „Gigafab“
Am 16. Juli 2010 wird die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) im Central Taiwan Science Park (CTSP) den Grundstein für die dritte „Gigafab“ Fab 15 legen. Damit soll insbesondere eine erhöhte Kapazität für die 40-nm- sowie anstehende 28-nm-Fertigung geschaffen werden.
Insgesamt will TSMC in diesem Jahr 4,8 Milliarden US-Dollar in den Ausbau der Fabriken stecken. Allein 3,1 Milliarden US-Dollar fließen in den Neubau, mit den weiteren Mitteln sollen die beiden bestehenden Gigafabs ausgebaut werden. In der Fab 12 soll der fünfte Bauabschnitt noch in diesem Quartal abgeschlossen sein, Fab 14 wird den vierten Bauabschnitt zum Ende des Jahres fertiggestellt haben.
Insgesamt will TSMC im Jahr 2010 das Equivalent von 11,24 Millionen 200-mm-Wafern (8 Zoll) ausliefern, wobei in dieser Rechnung die 12- und 6-Zoll-Wafer nach mathematischer Formel von 1:2,25 respektive 1,78:1 eingerechnet wurden. Insgesamt sollen die beiden Gigafabs mit ihren 12-Zoll-Wafern bereits einen Anteil von 50 Prozent an der Gesamtproduktion beisteuern.
Heute ist der offizielle Startschuss erfolgt und im Rahmen der Grundsteinlegung wurden einige Details bekannt. Insgesamt wird TSMC 300 Milliarden New-Taiwan-Dollar (rund 9,3 Milliarden US-Dollar/ 7,2 Milliarden Euro), aufgeteilt in vier Bauphasen, in die neue Fab 15 stecken. Der Preis liege so hoch, weil die „Gigafab“ direkt für die Produktion von 100.000 Wafern im Monat ausgelegt werde und demnach kaum vergleichbar mit jenen „kleineren“ Fabs mit 30.000 Wafern im Monat ist, die 3-4 Milliarden US-Dollar im Neubau kosten, gab TSMC zu Protokoll.
Insgesamt wird TSMC durch die Baumaßnahme mehr als 8.000 neue Arbeitsplätze schaffen. Gleichzeitig kündigte das Unternehmen an, die beiden bisherigen Gigafabs Fab 12 und Fab 14 weiter auszubauen. So soll deren Kapazität von jeweils 100.000 auf 120.000 Wafer im Monat gesteigert werden. Diese Maßnahme soll bereits zum Jahresende abgeschlossen sein. Die neue Fab 15 soll im ersten Quartal 2012 den Betrieb aufnehmen.