IBM baut 210 GHz Transistor

IBM-Entwicklern ist es laut amerikanischen Medienberichten gelungen, Silizium-Germanium-Transistoren herzustellen, die eine Transitfrequenz von 210 GHz aufweisen sollen.

Das Wall Street Journal berichtet sogar, dass IBM mit dieser Technik die 300 GHz Marke noch überschreiten will. Im Laufe des Tages will IBM noch technische Einzelheiten zu den neuen Transistoren veröffentlichen. Das Einsatzgebiet der Transistoren soll sich vor allem auf drahtlose Kommunikationsschaltkreise erstrecken. Bereits 1999 konnte IBM mit heterobipolaren Transistoren, die eine Transitfrequenz von 90 GHz aufwiesen, vorlegen. Seit 1989 forscht IBM an Silizium-Germanium Bauteilen.