Samsung fertigt erste Speicher bereits mit 0,12µm in Serie

Samsung hat die Serienproduktion der weltweit ersten Flash-Speicher mit einer Kapazität von 1 GBit aufgenommen. Die Flash-Speicher (NAND) fertigt Samsung mit Hilfe eines 0,12-µm-Prozesses. Diese hochdichten, nichtflüchtigen Speicher erlauben es den Endanwendern, sehr viel größere Datenmengen zu speichern.

Als Geräte kommen inbesondere digitale Kameras, PDAs und digitale Audio-Player in Frage. Mit der neuen Technik lassen sich Speicherzellen realisieren, die eine Fläche von weniger als 100 nm² einnehmen. Dadurch verringern sich die Fertigungskosten pro Bit deutlich.

Es lassen sich mehrere einzelne 1-GBit-Speicher in einem einzelnen Gehäuse unterbringen, um die Speicherdichte pro Chip zu erhöhen. So bringt Samsung als erstes Unternehmen weltweit einen 4-GBit-Chip auf dem Markt, in dem vier Dies mit einer Kapazität von je 1 GBit sitzen, die in einem einzigen TSOP-Gehäuse übereinandergestapelt sind. Darüber hinaus erreichen Speicherkarten wie die Compact-Flash-Karte mit Hilfe der Packaging-Technologie von Samsung Dichten bis zu 2 GByte.

Der Markt für Flash-Speicher erfreut sich weiterhin steigender Wachstumsraten, da neue Gerätegenerationen eine kontinuierlich steigende Speicherkapazität pro Einheit benötigen. Als treibende Kraft hinter dem Wachstum der Speicher erweisen sich die Flash-Karten mit USB-Schnittstelle, die gegenüber den heute verbreiteten Massenspeichern auf Basis von elektromechanischen Festplatten sehr viel unempfindlicher auf Schockeinwirkungen reagieren. Daher werden sie künftig Festplatten in industriellen und militärischen Anwendungen ersetzen. Weiterhin eröffnet die Einführung der 512MByte Flash-Karte auf Basis der 1Gbit NAND-Flash Technologie auch neue Möglichkeiten im Markt für Low-End-Festplatten.