Samsung entwickelt kleinste Speicherzelle der Welt

Auf Basis des neuen 0.09 Micron Herstellungsverfahrens entwickelt der Speicherhersteller Samsung gerade neue Speicherzellen. Mit einer Fläche von lediglich 0,79µm² ist es Samsung gelungen die bisher kleinste Speicherzelle der Welt zu produzieren.

Diese Speicherzellen haben es Samsung ermöglicht, einen Speicherchip mit einer Kapazität von 72Mbit zu entwickeln. Diese neuen Speicherchips basieren bereits auf der DDR3-Spezifikation, deren Verabschiedung jedoch noch aussteht.

Die 72-MBit-DDR3-SRAMs können mit einer Taktfrequenz von 750MHz betrieben werden und erreichen damit Geschwindigkeiten von 1,5 GBit/s. Dabei kommt der Chip mit einer Spannung von nur 1,2V aus und sorgt überdies für eine geringe Leistungsaufnahme.

Samsung ist das erste Unternehmen, das die Entwicklung eines DDR3-SRAMs mit einer Speicherdichte von 72 MBit abschließen konnte. Muster der SRAMs mit einer Kapazität von 32 MBit stehen bereits zur Verfügung. Die Serienfertigung der 72-MBit-DDR3-SRAMs plant Samsung im vierten Quartal 2003 aufzunehmen.