Forscher von AMD präsentieren neues Transistordesign

Forscher von AMD haben als erste in der Halbleiterbranche bedeutende Meilensteine in der Entwicklung von Transistoren der nächsten Generation gesetzt. In umfangreichen Laborarbeiten, deren Ergebnisse im Juni ausführlich präsentiert werden, wurde ein High-Performance Transistor entwickelt und demonstriert.

Dieser soll bis zu 30% schneller sein als der beste derzeit dokumentierte PMOS (P-Kanal Metal-Oxide Semiconductor) Transistor. Der neue Transistor basiert auf proprietären Technologien von AMD sowie auf der allgemein als Fully Depleted Silicon-on-Insulator bezeichneten Technologie.

Im Zusammenhang mit diesen Laborarbeiten haben Forscher von AMD auch den branchenweit ersten "Strained Silicon" Transistor demonstriert, der aufgrund des erfolgreichen Einsatzes von Metall-Gates gegenüber herkömmlichen "Strained Silicon" Komponenten eine 20 bis 25% höhere Performance erzielt. Auch Intel wird auf Strained Silicon beim Nachfolger des aktuellen Pentium 4 setzen, hat hier aber noch keine laufenden Transistoren der Öffentlichkeit präsentiert.

Diese Erfolge sind wichtige Meilensteine in AMDs ehrgeiziger Prozesstechnologie-Roadmap und gelten als Grundlage für das Design künftiger Mikroprozessoren, mit denen sich Kundenwünsche noch besser erfüllen lassen.