Infineon startet Speicherfertigung mit 0,11µm

Infineon hat die Serienproduktion von DRAMs mit der fortschrittlichen 0,11-µm-Technologie gestartet. Muster von hochintegrierten 256-Mbit-DRAMs, die mit dem 0,11-µm-Prozess gefertigt werden, sind bereits erfolgreich von Intel validiert und auch an strategische Kunden ausgeliefert.

Mit der neuen Technologie können Chips mit noch kleineren Strukturen gefertigt werden, wodurch sich die Chipfläche reduziert und die Produktionskosten pro Chip gegenüber der bisherigen Prozesstechnik um 30 Prozent sinken. Durch die deutlich kleineren Strukturen im Vergleich zum bisherigen 0,14-µm-DRAM-Prozess kann Infineon über 50 Prozent mehr Chips auf einem Wafer produzieren.

Infineon entwickelte den neuen Prozess auf der 200-mm-Wafer-Fertigungslinie in Dresden und führt die Technologie nun in die Volumenproduktion von hochintegrierten und schnellen Speicherprodukten auf 200- und 300-mm-Wafern ein. Parallel zur Einführung der neuen Prozess-Technologie in Dresden wird diese auch in die anderen Produktionsstätten des Fertigungsverbundes von Infineon eingebracht: In Richmond (Virginia), bei Inotera Memories, dem Joint-Venture mit Nanya, und bei DRAM-Foundry-Partnern.

Infineon setzt als erster DRAM-Hersteller die 193-nm-Lithographietechnik für die Volumenfertigung auf Basis seines 0,11-µm-Prozesses ein. Da auch künftige Prozess-Generationen mit kleineren Strukturgrößen voraussichtlich diese Lithographietechnik nutzen werden, wird Infineon von der jetzt gewonnen Erfahrung profitieren können. Die ersten verfügbaren, in 0,11-µm-Technologie gefertigten Produkte sind 256-Mbit-DDR-Speicher für PCs und Server. Die kleineren Prozess-Strukturen bieten zudem besondere Vorteile für die Fertigung von sehr schnellen Speichern wie DDR2 oder Grafik-RAM. Die reduzierten Schaltungsstrukturen ermöglichen auch hohe Kapazitäten von bis zu 1 Gbit/Chip. Alle auf dem neuen Prozess gefertigten DRAMs sind in umweltfreundlicher Technologie mit blei- und halogenfreien Materialien ausgeführt.