Infineon und Micron geben neue Speicher-Spezifikationen bekannt

Infineon Technologies und Micron Technology kündigen heute die vollständigen Spezifikationen der Reduced-Latency-Dynamic-Random-Access-Memory-II-Architektur (RLDRAM II) an. RLDRAM II-Produkte arbeiten mit einer Taktrate von bis zu 400 MHz.

Sie stellen die zweite Generation von Ultra-High-Speed-Double-Data-Rate- (DDR) SDRAMs dar, die einen schnellen wahlfreien Zugriff mit sehr hoher Bandbreite sowie hoher Speicherdichte kombinieren. Die Speicherbausteine eignen sich daher ideal für Kommunikations- und Datenspeicherapplikationen. Datenblätter der 288 Mbit RLDRAM II-Bausteine sind ab sofort verfügbar.

Die RLDRAM-Architektur ist speziell für die Speicheranforderungen moderner Kommunikationsanwendungen mit hoher Bandbreite ausgelegt. Die Bausteinarchitektur mit acht Speicherbänken ist für hohe Geschwindigkeit optimiert und erzielt mit Hilfe einer 36-Bit-Schnittstelle und 400 MHz-Systemtakt eine Spitzen-Bandbreite von 28,8 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s). RLDRAM II zeichnet sich durch eine niedrige Latenz sowie schnelle wahlfreie Zugriffe mit Zugriffszeiten von 20 ns (Random-Cycle-Time; tRC) aus und gestattet dadurch wesentlich höhere Datendurchsätze. Zu den weiteren Vorteilen von RLDRAM II gehören On-Die-Termination (ODT), gemultiplexte oder nicht gemultiplexte Adressierung, auf dem Chip integrierte Delay-Lock-Loop (DLL), gemeinsame oder getrennte Ein-/Ausgänge, programmierbare Ausgangs-impedanz und ein stromsparender 1,8V-Kern. Diese Leistungsmerkmale bieten Designern nicht nur höhere Designflexibilität, ein ausgeglichenes Lese-/Schreib-verhältnis und die Eliminierung der Lese-Schreib-Konflikte, sondern ermöglichen auch einen vereinfachten Design-in-Prozess.

"RLDRAM-II-Bausteine sind eine ausgezeichnete Lösung, um Hochgeschwindigkeits-Ethernet- sowie Netzwerksystemdesigns der nächsten Generation mit Datenraten zwischen 10 Gbit/s und 40 Gbit/s zu realisieren“, sagte Deb Matus, DRAM Marketing Manager für Networking und Communications bei Micron. „Wir werden in Zukunft immer größere Zustimmung für diese Technologie in allen Märkten finden. Zu den Applikationen, die RLDRAM-Produkte verwenden, gehören Netzwerke, Consumer-Geräte, Grafikanwendungen und L3-Caches."

Um sehr schnelle Datentransferraten und eine einfache Aufrüstung von früheren Produkten zu gewährleisten, sind die RLDRAM-II-Bausteine im standardmäßigen 144-Ball-FBGA-Gehäuse mit Abmessungen von 11 mm x 18,5 mm untergebracht. Die RLDRAM-II-Bausteine gibt es in drei verschiedenen Konfigurationen mit 8 M x 36, 16 M x 18 und 32 M x 9. Infineon und Micron definieren die RLDRAM-Architektur gemeinsam, um einen einheitlichen Standard, mehrere Bezugsquellen und eine funktionale Kompatibilität zu gewährleisten.