Infineon expandiert in China
Infineon und die China-Singapore Suzhou Industrial Park Venture Co. (CSVC) gründen ein Joint-Venture für die Montage und Test (Backend) von Speicherchips. Der Vertrag sieht vor, im Industriepark von Suzhou, 80 km westlich von Shanghai, ein gemeinsames Werk zu bauen.
Als maximale Kapazität sind im Endausbau bis zu 1 Milliarde Chips pro Jahr geplant. Das neue Unternehmen wird unter dem Namen Infineon Technologies Suzhou Co., Ltd, firmieren. Infineon hält 72,5 Prozent der Anteile an dem Joint-Venture, CSVC die restlichen 27,5 Prozent.
„Mit dieser Partnerschaft bauen wir unsere Präsenz im Zukunftsmarkt China konsequent aus, können neue Kunden adressieren und zielen in China auf einen Marktanteil bei Speicherprodukten von 40 Prozent“, kommentierte Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender von Infineon. „In China wollen wir insgesamt in den nächsten fünf Jahren eine Top vier Position im Bereich Mikroelektronik mit einem Marktanteil von mehr als 10 Prozent einnehmen. Bis dahin werden wir hier rund 3.300 Mitarbeiter beschäftigen.“
Das neue Werk wird abhängig von dem Wachstum und der Entwicklung des weltweiten Halbleitermarktes in mehreren Stufen aufgebaut. Das geplante Gesamtinvestment über die nächsten 10 Jahre beträgt rund 1 Milliarde US-Dollar bei einem Eigenkapital von 333 Millionen US-Dollar. Dabei wird Infineon über die nächsten 5 Jahre insgesamt 241,4 Millionen US-Dollar als Eigenkapital einbringen, von CSVC kommen 91,6 Millionen US-Dollar. Damit sind die ersten Ausbaustufen gesichert, einschließlich des Baus der Halle, der entsprechenden Infrastruktur und des ersten kostenintensiven Equipments. Die folgenden möglichen Investitionen sind fast ausschließlich für das weitere Equipment vorgesehen. Es ist geplant, diese über das Joint-Venture fremd zu finanzieren. Bei voller Auslastung werden bei Infineon Suzhou über 1.000 Mitarbeiter beschäftigt sein.
Der Baubeginn ist für Oktober 2003 und Ready-for-Equipment für Mitte 2004 vorgesehen. Die Volumenproduktion soll Anfang 2005 starten. Das Gemeinschaftsunternehmen wird mit der Produktion von 256-Mbit-Bausteinen in BGA-Gehäusen starten. Die Wafer zur Weiterverarbeitung kommen dabei vornehmlich aus den Kooperationen mit SMIC (Shanghai/China), Winbond und Nanya (beide Taiwan), jedoch sind auch Lieferungen aus Dresden und Richmond, USA, vorgesehen.