Chartered, IBM und Infineon entwickeln gemeinsam 65nm-Technologie

Chartered Semiconductor Manufacturing, IBM und Infineon Technologies haben gestern eine gemeinsame Vereinbarung zur Entwicklung von Fertigungsprozessen in 65-Nanometer-Technologie bekannt gegeben. Finanzielle Details zu der Vereinbarung wurden nicht bekannt.

Diese Vereinbarung kombiniert die langjährigen Erfahrungen von Infineon bei der Entwicklung von Halbleitern mit geringer Leistungsaufnahme und die branchenführende Prozesstechnologie von IBM sowie das Engagement von Chartered bei der Entwicklung einer allgemeinen Foundry-Plattform, die von der 90-Nanometer-Technologie über die nächste Fertigungsgeneration (die 65-Nanometer-Technologie) bis hin zur zukünftigen 45-Nanometer-Fertigungstechnik skalierbar ist.

Die Entwicklungsarbeiten werden im kürzlich eröffneten 300-Millimeter-Entwicklungslabor von IBM in East Fishkill im Bundesstaat New York aufgenommen. In dem Advanced Semiconductor Technology Center bzw. ASTC 300 genannten Werk, das seit einem Monat in Betrieb ist, haben IBM und Chartered als eine der Ersten bereits 65-Nanometer-Wafer entwickelt.

Etwa 200 Ingenieure der drei Unternehmen werden zusammenarbeiten, um Fertigungstechnologien für Halbleiter der nächsten Generation zu definieren. Chartered, IBM und Infineon planen die gemeinsame Realisierung einer ultramodernen Foundry-Technologie für 65-Nanometer-Strukturen und Varianten für hohe Leistung und niedrige Leistungsaufnahme. Die Unternehmen erwägen auch die Erweiterung der Entwicklung bis hin zur 45-Nanometer-Technologie. Um Foundry-Kunden bei ihren Entwicklungstätigkeiten mit diesen Technologien zu unterstützen, haben sich die Unternehmen zudem zu einer Zusammenarbeit mit Drittanbietern bereit erklärt. Diese Kooperation garantiert ein umfassendes Angebot an optimalen Design-Tools.

Jedes Unternehmen kann die gemeinsam konzipierten Entwicklungsprozesse in die eigene Herstellungsumgebung integrieren. IBM und Chartered planen die Integration des zusammen entwickelten 65-Nanometer-Fertigungsprozesses in ihre jeweiligen 300-Millimeter-Produktionsstätten und die Unterstützung von Infineon bei der Deckung des externen Bedarfs an 65-Nanometer-Produkten.