Samsung stellt 256-MBit-GDDR2-SDRAM vor
Samsung hat die Produktion der Graphics-Double-Data-Rate2-(GDDR2-)SDRAMs mit einer Kapazität von 256 MBit aufgenommen. Diese hohe Speicherfähigkeit erlaubt den Aufbau von hochdichten Grafikspeicherkarten mit Kapazitäten bis zu 512 MByte.
Die neuen Speicher, die Samsung bereits an führende Hersteller von Grafikkarten ausgeliefert hat, sind in einem Fine-Pitch-Ball-Grid-Array (FBGA)-Gehäuse mit 144 Anschlüssen untergebracht, das dem JEDEC-Standard entspricht. Deshalb können die Hersteller von Grafikkarten die neuen Speicher einfach gegen die GDDR2-SDRAMs mit Speicherkapazitäten von 128 MBit auszutauschen, ohne ein Redesign der Grafikkarte durchführen zu müssen. Die 256-MBit-SDRAMs von Samsung entsprechen zudem den GDDR3-Spezifikationen, die im kommenden Monat die JEDEC-Zulassung erhalten.
Die GDDR2-Speicher zeichnen sich durch eine Reihe technischer Neuerungen aus. Dazu gehören die On-Die-Termination (ODT), die Off-Chip-Driver-Calibration (OCD) und Posted CAS. Diese Funktionen steigern die Leistungsfähigkeit gegenüber herkömmlichen Grafik-DDR-SDRAMs um 50 Prozent. Die Datenübertragungsrate von 1,6 GBit/s pro Pin führt zu einer gesamten Bandbreite von 6,4 GByte/s.
Das erklärte Ziel des Unternehmens besteht darin, sich einen Anteil von 50 Prozent am Markt für Grafikspeicher zu sichern, der bis 2005 voraussichtlich ein Volumen von 1,7 Milliarden US-Dollar erreichen wird.