AMD mit neuartiger Transistorentwicklung für Mikroprozessoren

Forscher von AMD haben auf der “InternationalConference on Solid State Devices and Materials“ in Tokio erste Einzelheitender Triple-Gate Transistorentwicklung präsentiert, die aufSilicon-on-Insulator-Technologie (SOI) der nächsten Generation sowieauf fortschrittliche Metal-Gate-Technologie zurückgreift.

AMDs Transistorentwicklung erzielt gegenüber bisher veröffentlichten Forschungsarbeiten an Multi-Gate-Transistoren eine um bis zu 50% höhere Leistung und übertrifft damit die von der “International Technology Roadmap for Semiconductors“ (ITRS) für 2009 definierten Anforderungen. Aufgrund ihrer hohen Kompatibilität zu gängigen Fertigungsverfahren betrachtet AMD diese Technologie als einen der führenden Anwärter für die Serienproduktion ab 2007.

Dieses neue Triple-Gate-Transistordesign bringt uns einen Schritt näher zur angestrebten Produktion von Multi-Gate-Transistoren. Es ist genau diese Art der Forschung, die ermöglicht, unseren Kunden gemäß eines ehrgeizigen Zeitplans Lösungen mit noch höheren Leistungen als bisher zur Verfügung zu stellen.

Die heute präsentierte Multi- Gate-Transistor-Implementierung ist höchst kompatibel zu gängigen Fertigungstechniken und verbessert unsere Möglichkeiten zur Überführung dieser Technologie in die Serienproduktion.

Die primären Funktionselemente eines Mikrochip, die Transistoren, sind mikroskopisch kleine Schalter zum Ein- und Ausschalten von elektrischen Strömen, die durch Halbleiter fließen. Eine höhere Leistung bzw. Schaltfrequenz der Transistoren hat einen erheblichen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit von Mikroprozessoren.

Bei AMDs neuartiger Transistorentwicklung ist ein einzigartiger, ultradünner und in “Fully Depleted“ Silicon-on-Insulator-Technologie (FDSOI) realisierter elektrischer Pfad an drei Seiten von Metal-Gates aus Nickel-Silicide umgeben. Diese Kombination aus FDSOI Technologie und Nickel-Silicide Metal-Gates sorgt für eine “Streckung“ des Siliziumgitters innerhalb des elektrischen Pfads und verbessert so die Mobilität der Ladungsträger. Darüber hinaus erhöht die Multi-Gate-/FDSOI-Struktur die effektive Breite des elektrischen Pfads im Transistor und ermöglicht zugleich eine verbesserte Steuerung des Stromflusses. Aufgrund dieser Faktoren lassen sich höhere Durchlassströme, niedrigere Sperrströme und kürzere Schaltvorgänge erzielen und die Gesamtleistung eines Transistors drastisch steigern.