IDF: Infineon liefert 512-Mbit-DDR2-Speicherchips an Intel

Infineon Technologies gab heute auf dem Intel Developer Forum bekannt, dass sein 512-Megabit-DDR2 (zweite Double-Data-Rate-Generation)-SDRAM den Boot-Prozess des Dual-Prozessor-Server-Chipsatzes "Lindenhurst" von Intel unterstützt.

Die 512-Mbit-DDR2-SDRAM-Chips von Infineon in der Organisation x8 sind kompatibel mit der DDR2-Spezifikation von JEDEC und werden nun von Intel evaluiert und basieren auf Infineons 110-nm-CMOS-Prozesstechnologie.

Die jetzt verfügbaren DDR2-Chips arbeiten mit Datenübertragungsraten von 400 Mbit/s und 533 Mbit/s und sind als DRAMs mit vier Speicherbänken konfiguriert. Sie sind in den Organisationen x4, x8 und x16 verfügbar und werden in Fine Pitch Ball Grid Array (FBGA)-Gehäusen angeboten. Weitere Merkmale des neuen Speichers sind unter anderem eine Prefetch-Größe von 4 Bits, ein differentieller Strobe und ein variabler Impedanz-Abgleich für den Datenausgang. Noch schnellere Chips und Speichermodule, die ab 2004 in Systemen mit DDR2-Arbeitsspeicher eingesetzt werden sollen, sind bereits in Planung. Für 2004 sieht Infineons DDR2-Roadmap auch 256-Mbit- und 1-Gigabit-Chips vor.