IDF: Intel bringt 90 nm Flash-Speicher
Bei Prozessoren konnte Intel die Strukturbereiten mit dem jüngsten Sproß, dem Pentium 4 „Prescott“ Prozessor bereits von 130 nm auf 90 nm verkleinern. Nun kündigte Intel im Rahmen des Intel Developer Forums (IDF) auch den ersten NOR-Flash-Speicher mit dieser Strukturbreite an.
Das neue Wireless Flash Memory ist die fünfte Generation von Intel Flash-Speichern, die speziell auf die Anforderungen drahtloser Endgeräte zugeschnitten wurden.
In seiner Rede vor den Besuchern des IDF unterstrich Sean Maloney, Executive Vice President von Intel, die Vorteile der neuen Fertigungstechnologie: „Chips mit 90 nm Strukturbreite sind etwa nur halb so groß wie die der vorhergehenden Generation. Dank dieser Platzersparnis verdoppelt Intel seine Produktionskapazitäten und senkt gleichzeitig die Kosten.“ Doch wie sieht es mit der Verlustleistung der Speicher aus? Zumindest bei Prozessoren bereiten die kleinen Strukturen noch erhebliche Probleme.
Das erste Produkt auf Basis der neuen Technologie ist ein Single-Cell-Flash-Speicher. Im Laufe des Jahres werden Speicherbausteine auf Basis der Intel Multi-Level-Cell (MLC)-Technologie hinzukommen, die das Datenvolumen jeder Speicherzelle verdoppelt.
Da die Intel Speicher-Chips in allen Speicherdichten über eine einheitliche Pinbelegung und dieselben Intel Flash Software-Lösungen verfügen, sind Integrationen und Updates einfach durchführbar. Das ermöglicht Gerätedesignern, mehr Speicher auf geringerem Raum unterzubringen. Intel kombiniert die Flash-Speicher mit variablen RAM-Optionen und erreicht dabei nach eigenen Angaben Speicherdichten von bis zu 1 Gigabit in einer Größe von 8x11 Millimetern.
Erste Intel Wireless Memory Flash-Speicher auf Basis der 90 nm-Fertigungstechnologie verfügen über 64 Megabit (Mb) Speicherdichte und sind ab April in Mustern verfügbar. Die Serienproduktion wird im dritten Quartal 2004 beginnen. Der empfohlene Listenpreis beträgt 10,26 US-Dollar bei Abnahme von 10.000 Stück. Im Laufe des Jahres werden darüber hinaus erste MLC Intel StrataFlash Wireless Memory Flash-Speicher mit 90 nm Strukturbreite in Mustern verfügbar sein. Diese MLC-Bausteine werden in Speicherdichten von 256 Mb und 512 Mb sowie in verschiedenen Stacked Varianten angeboten.