DDR2 von Samsung in 100 nm

Nach anfänglichen Schwierigkeiten ist es Samsung gelungen die Fertigung der Speicherchips auf die 100 nm Technik umzustellen. Die momentan in 100 nm gefertigten 512 Mbit DDR2 SDRAM Chips müssen jedoch noch die Validierung durch die Kunden über sich ergehen lassen.

1 Gbit DDR2 SDRAM Chips konnten in Mustern ebenfalls gefertigt werden und sollen noch im zweiten Quartal ausgeliefert werden. Samsung setzt dabei nicht auf Outsourcing, sondern produziert die in 100 nm gefertigten Chips auf 300 mm Wafern in der hauseigenen Fabrik in Hwaseong in Südkorea. Angeblich soll es den Entwicklern sogar möglich sein, den 100 nm Prozess weiter auf 65 nm skalieren zu können.

Hynix, Infineon, Micron und Samsung hatten Gerüchten zufolge in der Vergangenheit enorme Probleme auf kleinere Strukturen in der Fertigung umzustellen. Zumindest bei Samsung scheinen diese Probleme nun gelöst zu sein. Die Probleme, deren Behebung doch mehr Zeit beanspruchte, als ursprünglich angenommen, hatten jedoch einen Anstieg der DDR-SDRAM-Preise zufolge. Damit Samsung der Schritt von 110 nm auf 100 nm gelingen konnte, musste man auf völlig neue Materialien und eine neu entwickelte Prozesstechnologie umstellen. Durch diese drastischen Umstellungen sollen jedoch auch die Reduzierungen auf 90, 80 und 65 nm feine Strukturen problemlos möglich sein.

Samsung blickt der Entwicklung des DDR2-Marktes nun recht positiv entgegen und geht davon aus, dass DDR2 bis zum Ende des Jahres 2004 noch einen Marktanteil von 20 bis 25 Prozent erreichen wird. Bevor jedoch der Desktop bedient wird, liegt das Einsatzgebiet von DDR2 ganz klar im Server-Segment.