Speicher für 3D-Spiele auf dem Handy

Samsung hat am Donnerstag vergangener Woche sein Portfolio an Mobile DRAMs um einen 32-bit breiten 256 Mbit-DDR-Speicherbaustein, der eine für 3D-Spiele in mobilen Endgeräten benötigte Bandbreite bietet, erweitert. Muster sind ab sofort erhältlich, die Massenfertigung ist für das zweite Halbjahr 2004 vorgesehen.

Der neue, speziell für mobile Endgeräte entwickelte Speicher kommt mit einer Taktfrequenz von effektiv 266 MHz (real 133 MHz) daher und erreicht dank des 32 Bit breiten Busses einen theoretischen Speicherdurchsatz von einem Gigabyte pro Sekunde. Bislang waren im Bereich der Mobile DDR-SDRAMs nur Speicherchips mit einem Takt von effektiv 200 MHz und einer Busbreite von 16 Bit verfügbar, die es auf eine theoretische Speicherbandbreite von 400 MB/s brachten. Samsung hat also allen Grund Stolz auf seine jüngste Erweiterung seines bereits beachtlichen Mobile DRAM-Portfolios zu sein. Die neuen Chips werden im 100 nm Fertigungsprozess hergestellt.

„Samsung nimmt die Herausforderungen mit Nachdruck an, die uns von der mobilen Front präsentiert werden,“ sagt Ivan Greenberg, Director Strategisches Marketing bei Samsung Semiconductor, Inc., San Jose, Kalifornien. „3D-Spiele auf mobilen Endgeräten werden sich bis 2006 als Standard durchgesetzt haben und Samsungs neue Mobile-x32-DDR-Lösung wird Designer von mobilen Endgeräten und Spiele-Entwickler in die Lage versetzen, das volle Potential ihrer mobilen 3D-Pipelines und Spieleanwendungen freizusetzen.“