Samsung entwickelt GDDR3-RAM mit 2 GHz

Um den Bedarf an immer schnellerem Arbeitsspeicher für Grafikkarten zu decken, hat Samsung die Entwicklung von GDDR3-RAM bekanntgegeben, der mit einer Geschwindigkeit von 2 Gigabit pro Sekunde arbeitet. Gleichzeitig gab Samsung bekannt, die Massenproduktion von GDDR3 mit 1,6 Gigabit pro Sekunde begonnen zu haben.

Der neue, im 90 Nanometer-Prozess gefertigte 2 GHz-Grafikspeicher (1 GHz Realtakt) wird als 512 Mbit-Chips produziert und ermöglicht eine Übertragungsrate von 8 Gigabyte pro Sekunde. Dies sind etwa 70 Prozent mehr, als bei bisherigem GDDR3-Speicher, der mit 1,2 GHz (DDR) beziehungsweise 600 MHz läuft und beispielsweise auf der gestern vorgestellten GeForce 7800GTX verbaut wird.

Desweiteren hat Samsung nun bekannt gegeben, dass man mit der Produktion von GDDR3-Chips begonnen hat, die mit einer Taktfrequenz von 1,6 GHz (DDR) arbeiten und ein eine Kapazität von 512 Megabit aufweisen. Diese Chips, deren Übertragungsrate bei 6,4 Gigabyte pro Sekunde liegt, hat man bereits im Dezember 2004 entwickelt. Eine Verwendung von 16 solcher Chips ermöglicht einen maximalen Speicherausbau von einem Gigabyte auf einer Grafikkarte - diese Kapazität ist man sonst nur vom Arbeitsspeicher gewohnt. Jedoch könnte somit die Grundlage für eine mögliche GeForce 7800 Ultra gegeben sein, deren Speichertakt bei 1,6 GHz liegt.