Infineon und Nanya bauen Kooperation aus

Infineon und Nanya haben die Ausweitung ihrer gemeinsamen Entwicklungsaktivitäten für DRAMs vereinbart. Die beiden Unternehmen werden zusammen ab September 2005 moderne 60-nm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer entwickeln. Damit weiten sie ihre bisherige Kooperation bei 90-nm- und 70-nm-Fertigungstechnologien aus.

Ziel der Kooperation sind die Senkung der Entwicklungskosten und die Festigung der Positionen im DRAM-Markt. Die neue Fertigungstechnologie, die Nanya und Infineon gemeinsam im Infineon-Werk Dresden entwickeln werden, wird zukünftig von beiden Unternehmen und vom gemeinsamen Fertigungs-Joint-Venture Inotera Memories mit Sitz in Taoyuan/Taiwan genutzt. Inotera ist auf die Produktion von DRAMs spezialisiert und hat sein Halbleiterwerk auf eine Produktionskapazität von über 60.000 Waferstarts pro Monat hochgefahren. Damit hat Inotera weltweit eine der größten Halbleiterfertigungen. Eine weitere Zusammenarbeit bei der Entwicklung von 60-nm-Referenzprodukten ist bereits geplant. Mehr als 100 Mitarbeiter von Infineon und Nanya werden an diesem Projekt arbeiten. Voraussichtlich 2008 werden die ersten Speicherprodukte mit dem neuen 60-nm-Fertigungsverfahren auf Basis der 300-mm-Wafer produziert.