Intel baut zweite 45-nm-Fabrik

Intel plant den Bau einer neuen Halbleiterfabrik mit 300 mm großen Wafern an seinem Standort in Kiryat Gat, Israel. Die neue Fabrik mit dem Namen Fab 28 soll fortschrittliche Prozessoren auf Basis der 45-nm-Prozesstechnik ab der zweiten Jahreshälfte 2008 produzieren.

Das 3,5 Milliarden US-Dollar teure Projekt, Intels zweite 45-nm-Fabrik, soll sofort starten. Nach Fertigstellung wird Fab 28 Intels siebte 300 mm Fabrik sein und ca. 18.500 Quadratmeter Reinraumfläche haben. Während der nächsten Jahre schafft das Projekt mehr als 2000 Arbeitsplätze am Standort. Die israelische Regierung gibt finanzielle Unterstützung.

Derzeit betreibt Intel fünf Fabriken mit 300 mm großen Wafern, die ungefähr die Produktionskapazität von acht 200 mm Fabriken der alten Generation zur Verfügung stellen. Intels 300-mm-Fabriken sind in den US-Bundesstaaten Oregon, Arizona und New Mexico, sowie in Irland, wo eine Erweiterung der bestehenden 300-mm-Fabrik (Fab 24-2) noch im ersten Quartal 2006 den Betrieb aufnehmen wird. Im Juli gab Intel Pläne bekannt, mehr als drei Milliarden US-Dollar in den Bau einer anderen 300-mm-Fabrik, Fab 32 in Arizona, zu investieren.

Die Halbleiterherstellung ist durch die 300 mm Wafer Produktion im Vergleich zur 200-mm-Produktion viel kostengünstiger. Die Silizium-Oberfläche eines 300-mm-Wafers ist um 225 Prozent größer, mehr als doppelt so groß wie ein 200-mm-Wafer, und die Anzahl der auf einem Wafer untergebrachten Dies (Prozessorkerne) ist um 240 Prozent höher. Größere Wafer reduzieren die Produktionskosten pro Chip und senken gleichzeitig den Einsatz der dafür benötigten Rohstoffe. Eine Fabrik mit 300 mm großen Wafern benötigt 40 Prozent weniger Energie und Wasser pro Chip als eine Fabrik mit 200-mm-Wafern. Intels 45-nm-Technik, die zuerst in der Massenfertigung in Fab 32 zum Einsatz kommen wird, erlaubt den Bau von Chip-Schaltungen mit etwa der halben Größe im Vergleich zur aktuellen 90-nm-Halbleiterprozesstechnik.