Intel: Neuer Transistor für mehr Leistung

Intel gab heute die Entwicklung eines neuen, sehr schnellen Transistors bekannt. Der Prototyp mit niedrigem Stromverbrauch könnte in der Mitte des nächsten Jahrzehnts die Basis von Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen werden.

Wissenschaftler von Intel und QinetiQ haben zusammen einen „Enhancement-Mode-Transistor“ gezeigt, der Indiumantimonid (chemisches Symbol: InSb) verwendet, um elektrische Ströme im Innern eines Mikroprozessors zu schalten. Dieser Prototyp soll viel schneller sein und viel weniger Energie als bisher vorgestellte Transistoren verbrauchen. Intel erwartet, daß dieses neue Material Silizium ergänzt und damit das Mooresche Gesetz weiter vorantreibt.

Die Ergebnisse dieser Forschung bekräftigen unsere Zuversicht, dass das Mooresche Gesetz auch über das Jahr 2015 hinaus seine Gültigkeit behalten kann. Wie bereits mit anderen technischen Entwicklungen von Intel erwarten wir, daß diese neuen Materialien dazu beitragen, daß auch in Zukunft Halbleiter auf Silizium basieren. Durch das neue Material bekommen wir 50 Prozent mehr Leistung und gleichzeitig können wir den Energieverbrauch um ungefähr das zehnfache senken. Das gibt uns die Möglichkeit, zukünftige Plattformen hinsichtlich Leistung und Energieverbrauch zu optimieren.

Ken David, Director Components Research für Intels Technology and Manufacturing Group

InSb ist ein III-V-Halbleiter und besteht aus Elementen der III. und V. Hauptgruppe des Periodensystems. Diese Halbleiter werden heute in vielen eigenständigen und sehr kleinen integrierten Geräten wie Hochfrequenz-Verstärkern, Geräten, die mit Mikrowellen arbeiten und Halbleiter-Lasern verwendet. Wissenschaftler von Intel und QinetiQ hatten bereits im Februar Transistoren mit InSb vorgestellt. Die heute vorgestellten Prototypen sind mit einer Gate-Länge von 85 nm um mehr als die Hälfte kleiner. Damit seien sie Intel zufolge die kleinsten jemals vorgestellten Enhancement-Mode-Transistoren. Enhancement-Mode-Transistoren sind die am weitesten verbreiteten Transistoren bei Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen. Diese Transistoren arbeiten mit einer reduzierten elektrischen Spannung von ungefähr 0,5 V. Dies ist in etwa die Hälfte dessen, was heutige Mikroprozessoren verbrauchen.