Infineon stellt erste 65-nm-Chips her
Infineon hat erfolgreich die ersten Muster-Chips in seiner 65-nm-CMOS-Prozesstechnologie gefertigt. Sie sollen durch hohe Leistungsfähigkeit bei gleichzeitig geringer Stromaufnahme glänzen. Dabei hat man die Ergebnisse der 65/45-nm-Forschungs-und-Entwicklungsallianz ICIS, der auch IBM, Chartered, und Samsung angehören, eingesetzt.
Die Herstellung der Wafer erfolgte im Rahmen der Fertigungskooperation bei Chartered. Die auf Silizium nachgewiesenen Implementierungen von 65-nm-Komponenten wie MCU/DSP-Cores, Schaltungsbibliotheken sowie HF- und Analog/Mixed-Signal-Makros übertrafen das Verhältnis zwischen Geschwindigkeit und Leistungsaufnahme früherer Technologiegenerationen.
Beispielsweise wurden ein ARM9-basiertes Subsystem – eine wesentliche Komponente für Mobiltelefone – sowie ein weites Spektrum an digitalen Zellbibliotheken und verschiedenen SRAM-, ROM-, HF- und Analog/Mixed-Signal-Funktionen erfolgreich verifiziert. Die Silizium-Funktionalität des ARM9-CPU-Cores, eines digitalen Signalprozessors sowie anderer Makro- und Bibliothekselemente wurde von der ICIS-Allianz in East-Fishkill und beim Fertigungspartner Chartered bestätigt. Mit der Fertigung des ersten 65-nm-Produktes für die Mobilkommunikation wurde vor kurzem erfolgreich begonnen. Erste Muster sollen noch im 1. Quartal 2006 verfügbar sein. Die Serienfertigung ist für das 4. Quartal 2006 vorgesehen.
Infineon verfolgt eine schnelle Migration hin zur 65-nm-Technologie, bei einem bestmöglichen Kompromiss zwischen den Fertigungskosten, maßgeblich bedingt durch die etablierte 193-nm-Lithographie, und dem kosten-getriebenen Einsatz neuer Materialien für die 65-nm-Low-Power-Technologie. Andererseits ist die neue Technologie bezüglich Geschwindigkeit und Stromaufnahme sehr ausgewogen und zeigt zudem ausgezeichnete HF-Parameter. Die 65-nm-Technologie wird in den nächsten Jahren die prozesstechnische Grundlage für die Kommunikationsprodukte von Infineon sein. Damit wird Infineon seine führende Position bei der Single-Chip-Integration von Basisband- und HF-CMOS-Funktionalität weiter stärken. Außerdem ergeben sich Economy-of-Scale Vorteile für die Fertigungskapazitäten von Mikrocontroller- und ASIC-basierten Lösungen.
Prof. Dr. Hermann Eul, Vorstandsmitglied von Infineon und Leiter des Geschäftsbereiches Communication Solutions