Nanya zeigt DDR3-Speicher

Wie X-Bit labs berichtet, hat nach Samsung, Elpida und Infineon nun auch Nanya erste Speichermodule auf Basis der DDR3-Technologie vorgestellt. Zum Einsatz kommen 512-Megabit-Chips mit einer externen Taktrate von 533 MHz (DDR1066).

Der interne Takt beträgt 133 MHz. Während die ersten Samples noch im 90-nm-Verfahren gefertigt wurden, geht Nanya davon aus, dass die Module ab 2008, wenn der Speicherstandard Schätzungen zufolge industrieweit zum Einsatz kommt, in 70 nm gefertigt sein werden. Samsungs und Infineons DDR3-Chips weisen schon heute eine Strukturbreite von nur 80 nm auf. DDR3 arbeitet gegenüber DDR2 mit Achtfach- anstatt Vierfach-Prefetch bei einer nochmals gesenkten Betriebsspannung von 1,5 Volt und soll externe Taktraten von 800 MHz (DDR1600) erreichen.