Samsung mit 8 GBit NAND in 60 nm

Samsung hat mit der Serienfertigung von NAND-Flash-Chips begonnen, die eine Speicherkapazität von 8-Gbit aufweisen. Die neuen Speicher wurden für den Einsatz in Konsumgütern und Mobilgeräten wie MP3-Player und Spielekonsolen entwickelt.

Zur Herstellung der High-Density MLC-Speicher (Multi Level Cell) nutzt Samsung eine Prozesstechnologie mit den derzeit kleinsten Halbleitergeometrien von 60 nm – Intel fertigt seine Prozessoren derzeit in einem 65-nm-Logikprozess. Samsungs 8-Gbit-NAND-Flash-Memory, entwickelt im September 2004, ist das fünfte NAND-Flash-Memory in Folge, das dem von Dr. Chang Gyu Hwang, Präsident und CEO von Samsung Electronics Semiconductor Business, entwickelten „New Memory Growth“ Modell folgt, nach dem sich die Speicherdichte alle zwölf Monate verdoppelt.

Die Massenproduktion von 8-Gbit-Chips ermöglicht Samsung die Herstellung von 8-GByte-Lösungen, die auf der vertikalen Anordnung zweier 4-GByte-Packages beruhen, welche jeweils vier 8-Gbit-Chips in einem Gehäuse integrieren. Ein einzelner 8-GByte-NAND-Flash-Speicher kann 2.000 MP3-Files oder Videos in DVD-Qualität mit einer Spieldauer von 225 Minuten speichern. Sie sollen im dritten Quartal 2006 auf den Markt kommen.

Samsung plant den Einsatz seiner 8-Gbit NAND-Flash-Memory-Chips in seinem High-Density MLC NAND mit der Bezeichnung moviNAND, um eine 2-GByte-NAND-Lösung anzubieten. Das vor kurzem vorgestellte moviNAND enthält ein NAND-Flash-Memory sowie einen NAND-Controller. Es kann in Mobiltelefone integriert werden, um den wachsenden Speicherbedarf, bedingt durch die zunehmende Zahl von Multimedia-Funktionen, zu decken. Verglichen mit der bisherigen 70-nm-Prozesstechnologie lässt sich mit dem neuen 60-nm-Fertigungsprozess eine um 25 Prozent höhere Produktivität erzielen. Der neue 60-nm-Fertigungsprozess folgt der Einführung der 80-nm-Prozesstechnologie vor etwas mehr als einem Jahr.