IBM: Designkits für 45 nm verfügbar

IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon und Samsung Electronics haben heute im Rahmen ihrer Kooperation die ersten Silizium-basierten Schaltkreise und die Verfügbarkeit von Design Kits für die 45-Nanometer-Niedrigenergie-Prozesstechnologie vorgestellt.

Die frühe Umsetzung von Schlüssel-Design-Elementen in Silizium, gepaart mit der Verfügbarkeit von ersten Design Kits, gibt Chipdesignern eine Starthilfe beim Übergang zur jüngsten Prozesstechnologie, die von der CMOS-Technologie-Forschungs- und Entwicklungsallianz der o.g. Firmen kommt. Die Design Kits wurden gemeinschaftlich von allen vier Firmen entwickelt und sind ab sofort für ausgewählte Kunden verfügbar.

Die ersten funktionierenden Schaltkreise in 45-Nanometer-Technologie, die insbesondere für Kommunikationssysteme der nächsten Generation gedacht sind, wurden in Silizium unter Nutzung der gemeinsam entwickelten Prozesstechnologie ausgeführt und auf der 300-Millimeter-Fabrikationslinie der IBM in East Fishkill, NY, USA produziert. Dort arbeitet auch das gemeinsame Entwicklungsteam. Unter den erfolgreich ausgeführten und geprüften Blöcken sind Standard-Library-Zellen und I/O-Elemente von Infineon wie auch Embedded Speicher, der von der Allianz entwickelt wurde. Infineon hat auf den ersten 300-mm-Wafern spezielle Schaltkreise für Debugging-Zwecke bei den komplexen Fertigungsprozessen eingefügt, um weitere Erfahrung in der Wechselwirkung von Produktarchitekturen zu gewinnen.

Die Entwicklung der Design Kits vereint Design-Expertise von allen vier Firmen, um einen schnelleren Übergang auf den neuen Prozess durch die Chip-Designer bei Kundenunternehmen zu ermöglichen. Weitere Vorteile sind die Weiterführung der Single-Design-Multi-Fab-Fertigungsfähigkeit für eine optimierte Nutzung der Designentwicklungen und damit verbundenen Investitionen. Der 45-Nanometer-Niedrigenergie-Prozess wird voraussichtlich bei den 300-mm-Fabriken von Chartered, IBM und Samsung bis Ende 2007 eingeführt werden.

Intel plant in der zweiten Jahreshälfte 2007 mit der Massenproduktion von 45-nm-Silizium beginnen zu können. Der Prozess hört auf die interne Bezeichnung P1266 und wurde in Eigenregie entwickelt. Erstes funktionsfähiges Silizium konnte der Halbleiterriese im Januar 2006 demonstrieren. AMD möchte Mitte 2008 auf die kleinen Strukturen umsteigen und dürfte aufgrund des nach wie vor bestehenden Entwicklungsabkommen von den Pionierarbeiten IBMs profitieren. Auch die EU fördert derzeit ein Projekt zur Erforschung des 45-nm-Prozesses mit 24 Millionen Euro, um Europas Stellung in diesem Bereich zu stärken.