DRAM in 75 nm von Qimonda und Nanya

Während Samsung seit Ende August die gesamte DDR2-Produktion auf den fortschrittlichen 80-nm-Prozess umgestellt hat, haben Qimonda, die nun eigenständige Speichersparte von Infineon, und Nanya die Einführung einer Strukturbreite von 75 nm in der DRAM-Produktion bekannt gegeben.

Entwickelt wurde die neue Technologie in den Entwicklungszentren von Qimonda in Dresden und München. In Dresden ist die Produktion von in 75 nm gefertigten 512-MBit-DDR2-Chips auf 300-mm-Wafern bereits angelaufen. Auf Basis derselben Fertigungstechnologie sollen Strukturbreiten bis hinab auf 70 nm möglich sein, gab Dr. Pei Lin Pai, Vice President Global Sales & Marketing und Firmensprecher der Nanya Technology Corporation, bekannt. Samsung hat erste Prototypen auf 70-nm-Basis schon im vergangenen Jahr vorgestellt. Die Massenproduktion war für die zweite Jahreshälfte 2006 geplant.

Prozessstrukturen von 75 nm ermöglichen nach Angaben der Hersteller nicht nur eine höhere Leistung und gestiegene Speichervolumen bei gleichbleibendem Platzverbrauch, im Vergleich zur 90-nm-Technologie steigt die potenzielle Chip-Ausbeute je Wafer um etwa 40 Prozent, was wiederum zu Kostensenkungen in der Produktion führt.