1-GBit-Speicherchips in 40 nm von Samsung

Bei 2-GBit-DDR3-Chips setzt Samsung seit September 2008 auf 50 nm, bei 4-GBit-DDR3-Chips gab man den Startschuss vor einigen Tagen bekannt. Qimonda kündigte seinerseits einen Durchbruch bei der Fertigung von 2-GBit-Chips in 46 nm Strukturbreite an. Bei 1-GBit-DDR2-Chips hat Samsung nun den Schritt auf 40 nm gewagt.

Gegenüber Chips in 50 nm soll die Leistungsaufnahme nochmals um gut 30 Prozent gesenkt worden sein, die Produktivität der Fertigung kann um gut 60 Prozent gesteigert werden. 2-GBit-DDR3-Chips wird Samsung voraussichtlich gegen Ende 2009 auf 40 nm portieren - ein Jahr nach Umstieg auf die 50-nm-Technologie.

Samsung geht davon aus, dass die 40-nm-Technologie einen bedeutenden Schritt in Richtung zukünftiger High-End-Speicherstandards wie DDR4 bedeutet, der nach Ansicht von Qimonda ab 2012 mit einer Spannung von nur noch 1,2 Volt in Serie gehen wird.

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