Samsung beginnt mit Produktion von PRAM

Samsung hat mit der Massenproduktion von PRAMs (Phase Change Random Access Memory) mit einer Speicherkapazität von 512 Megabit begonnen. Dies gab das Unternehmen auf dem sechsten jährlichen „Samsung Mobile Solutions Forum“ in Taipeh bekannt.

PRAM ist eine nichtflüchtige Speichertechnologie, die hohe Performance und niedrigen Leistungsverbrauch kombinieren soll. Samsung erwartet, dass sich PRAMs als nichtflüchtige Speichertechnologie für Mobilgeräte nach und nach durchsetzen. Da die wesentlich vereinfachte Logik für den Datenzugriff bei PRAMs weniger Unterstützung durch DRAMs benötigt, soll die Leistungsaufnahme des gesamten Systems sinken. Beim Einsatz der PRAM-Technologie soll sich die Batterielaufzeit eines Handys so um über 20 Prozent verlängern lassen. Das 512 Mb PRAM soll 64 Kiloworte in 80 Millisekunden löschen können und damit über zehn Mal schneller als NOR-Flash-Memory sein. In Datensegmenten von fünf Megabyte soll PRAM Daten etwa sieben Mal schneller löschen und schreiben als NOR-Flash-Speicher. Samsungs erstes PRAM wird in einer 60-Nanometer-Technologie produziert.