Schnellere und dichtere Flash-Chips in 30 nm

Samsung hat heute die Massenfertigung von 32-Gigabit-Speicherchips zweier weiterer MLC-NAND-Flash-Varianten in einem 30-nm-Prozess bekannt gegeben, die schneller sind bzw. eine höhere Datendichte bieten und seit Ende November ausgeliefert werden.

Bereits vor acht Monaten vermeldete das Unternehmen die Produktion normaler MLC-NAND-Chips im 30-nm-Prozess. Die schnelleren Chips sind im Gegensatz zu den normalerweise mit einem SDR-Interface (Single Data Rate) ausgestatteten Speicherchips mit einem asynchronen DDR-Interface (Double Data Rate) versehen, das deutlich höhere Leseraten erlauben soll. Samsung spricht von einer Steigerung der Leseleistung von rund 40 auf bis zu 133 Megabit pro Sekunde, ohne dabei eine Steigerung der Leistungsaufnahme in Kauf nehmen zu müssen. Die Schreibraten scheinen davon – man erinnere sich an den Zusatz „asynchron“ – nicht zu profitieren, zumal Samsung darauf auch nicht weiter eingeht.

Neben Solid State Drives sollen auch hochwertige SD-Cards und Samsungs moviNAND sowie Multimedia- und Navigationsgeräte mit Flashspeicher von den höheren Transferraten profitieren. Im Falle der SD-Cards soll die Leistungssteigerung eine Leserate von bis zu 60 MBit/s statt 17 MBit/s mit einem SDR-Interface ermöglichen.

Ebenfalls Ende November hat Samsung mit der Massenfertigung von 3-Bit-NAND-Flash-Chips in einem 30-nm-Prozess begonnen. Diese weisen – verglichen mit den meist zum Einsatz kommenden 2-Bit-Chips – eine 50 Prozent höhere Speicherdichte auf und sollen zusammen mit einem speziellen Controller zunächst zur Produktion acht Gigabyte großer microSD-Karten und später auch für USB-Sticks genutzt werden.