28-nm-Plattform von ARM und Globalfoundries

Globalfoundries und ARM haben heute auf dem Mobile World Congress weitere Details zu ihrer SoC-Plattformtechnologie in 28 nm für drahtlose Kommunikationslösungen und -anwendungen der nächsten Generation bekannt gegeben. Sie soll eine Leistungssteigerung von 40 Prozent und eine um 30 Prozent bessere Energieeffizienz bieten.

Zudem erwarten die Unternehmen eine Verdoppelung der Akkulaufzeit im Standby-Modus; jeweils verglichen mit der vorherigen 40/45-nm-Technologie. Die Plattform wird von Globalfoundries in zwei Prozessvarianten angeboten: die 28 nm Super Low Power (SLP) für mobile Kommunikationsanwendungen und Unterhaltungselektronik sowie die 28 nm High Performance (HP) für Anwendungen mit maximaler Leistungsfähigkeit. Die SoC-Plattform von ARM und Globalfoundries basiert auf dem „ARM Cortex A9“-Prozessor, optimierter ARM-Schaltungstechnologie und dem „28 nm Gate-First High-K Metal Gate (HKMG)“-Prozess von Globalfoundries.