Samsung entwickelt DDR3-Speicher in 30 nm

Samsung hat zum Wochenbeginn die abgeschlossene Entwicklung von DRAM-Chips für Arbeitsspeicher in einer Strukturgröße von lediglich 30 nm vermeldet. Die 2 Gigabit großen Speicherchips sollen in erster Linie weniger Energie verbrauchen, doch auch für den Hersteller gibt es Vorteile.

Wenn die Massenproduktion im zweiten Halbjahr erst einmal gestartet ist, soll die Produktivität bei der Fertigung des neuen 30-nm-Speichers um bis zu 60 Prozent gegenüber aktuellen 40-nm-Chips gesteigert werden. Gegenüber der noch etwas älteren 50-nm-Technologie versprechen die neuen Speicherchips in 30 nm eine um 30 Prozent geringere Leistungsaufnahme. Von den Spezifikationen her bedeutet dies, dass man sowohl für Server, Desktop-PCs und Notebooks Speicherriegel mit Spannungen von 1,5 und 1,35 Volt ausliefern wird. So soll ein fertiges DDR3-Modul in der Größe von 4 GByte für Notebooks dank der neuen Strukturbreite gerade mal drei Watt benötigen.