TSMCs 22-nm-Prozess kommt deutlich später

Der Auftragsfertiger Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) hatte extra die Design- und Entwicklungsabteilungen personell aufgestockt, um bereits im dritten Quartal 2011 einen 22-nm-Prozess für die Halbleiterfertigung anbieten zu können. Doch die Pläne waren wohl auch mit mehr Manpower zu ehrgeizig.

Die Testproduktion für in 22 nm Strukturbreite gefertigte Hochleistungschips wie beispielsweise GPUs soll dem ersten Vizepräsidenten und Leiter der Forschungs- und Entwicklungsabteilung Shang-Yi Chiang zufolge nun erst im dritten Quartal 2012 beginnen; der entsprechende Low-Power-Prozess gar erst im ersten Quartal 2013. Auf dem Forum in Yokohama verriet Chiang außerdem Details zum Fortschritt der 28-nm-Prozesse von TSMC. Die Testproduktion des Low-Power-Prozesses „28LP“ auf Basis von Siliciumoxidnitrid (SiON) soll demnach Ende Juni beginnen, die des „High-K Metal Gate (HKMG)“-Prozesses „28HP“ für Hochleistungschips Ende September. Im Dezember will das Unternehmen zudem einen Low-Power-HKMG-Prozess (28HPL) vorstellen. Es sollen bereits Bestellungen von Altera, Fujitsu Microelectronics, Qualcomm und Xilinx vorliegen.

Dass die Umstellung reibungslos abläuft, ist jedoch alles andere als sicher. Die Probleme, die ein neuer Prozess mit sich bringen kann, mussten TSMC sowie AMD und Nvidia als Kunden innerhalb des letzten Jahres beim 40-nm-Prozess erfahren. Der neue Konkurrent Globalfoundries, aus AMDs ehemaligen Werken hervorgegangen, hat erst vor knapp zwei Wochen zusammen mit ARM seine SoC-Plattformtechnologie in 28 nm für drahtlose Kommunikationslösungen und -anwendungen mit einem High-Power- und einem Low-Power-Prozess vorgestellt.