Toshiba testet Flash-Produktion unter 25 nm

Einem Bericht der japanischen Nikkei Business Daily zufolge plant Toshiba, nach Samsung der weltweit zweitgrößte Flash-Hersteller, den Beginn der Testproduktion von Flash-Chips mit unter 25 Nanometer Strukturbreite und wird dazu im laufenden Jahr 15 Milliarden Yen in eine Testproduktionslinie für kleinere Flashchips investieren.

Während die Massenproduktion im oberen 20-nm-Bereich in Kürze beginnen soll, wird es beim unteren 20-nm-Bereich Nikkei zufolge 2012 soweit sein; die nötigen Lithografie-Systeme seien bereits bei ASML bestellt worden. Eine Unternehmenssprecherin bestätigte, dass in der zweiten Hälfte des Jahres die Produktion von Chips mit einer Strukturbreite zwischen 20 und 29 nm beginnen werden. Allerdings stehe noch nicht fest, ob es sich dabei um einen Wert unter 25 nm handeln würde; aktuell stellt das Unternehmen Flash-Speicher mit 32- und 43-nm-Strukturen her. Beim Konkurrenten Micron plant man derzeit bereits für 2011 die Produktion von Speicherchips mit Strukturen unterhalb von 25 nm.

Zudem verhandle Toshiba derzeit mit ASML über die Lieferung eines EUV-Lithografie-Prototypen, wie ihn beispielsweise TSMC in Form eines Twinscan NXE:3100 bereits hat. EUV-Lithografie gilt als nächste Stufe in der weiteren Verkleinerung der Chip-Strukturen, wenn die aktuell eingesetzte Immersionslithografie mit einer Wellenlänge von 193 Nanometer an ihre Grenzen stößt. Wann genau dies der Fall sein wird, ist noch nicht sicher. Vermutlich wird es jedoch spätestens dann der Fall sein, wenn Strukturen von 11 nm erreicht werden.