32-nm-Low-Power-Prozess von Samsung

Samsung hat bekannt gegeben, dass der Geschäftsbereich Samsung Foundry, der im Auftrag Halbleiterprodukte nach den Vorgaben anderer Unternehmen fertigt, einen 32-Nanometer-Low-Power-Prozess mit „High-k Metal-Gate“-Technologie (HKMG) qualifiziert hat.

Für den Prozess seien auf der 300-Millimeter-Logikproduktionslinie von Samsung Foundry, der „S Line“ in Giheung, Korea, alle relevanten Zuverlässigkeitstests erfolgreich durchgeführt worden. Damit könne der Prozess ab sofort zur Herstellung von Kundenentwicklungen verwendet werden. Als erstes Unternehmen, das 32-nm-LP-HKMG-Logik-Prozesstechnologie qualifiziert, könne Samsung Foundry daher mit der Massenproduktion von Chips beginnen, welche die Anforderungen multimediaintensiver, mobiler Konsumerelektronikgeräte der nächsten Generation hinsichtlich Energieeffizienz erfüllen sollen.

Aufbauend auf den Erfahrungen bei „Deep Sub-Micron Power-Technologien“ habe man zusammen mit der IBM Joint Development Alliance (JDA) den Prozess so optimiert, dass eine wettbewerbsfähige Prozessplattform entstanden sei, die mit Hilfe minimierter, restriktiver Design-Regeln die doppelte Logikdichte von 45-nm-Prozessen ermögliche. Zudem habe man darauf geachtet, Kunden für künftige „Shrinks“ geeignete Designregeln sowie einen nahtlosen Migrationspfad auf 28-nm-LP anzubieten.

Als Bestandteil des Qualifizierungsprozesses hat Samsung Foundry einen System-on-Chip für den neuen Prozess entwickelt und bereits hergestellt. Die SoC-Lösung verbrauche gegenüber SoC-Designs mit 45-nm-LP-Strukturen bei gleicher Frequenz 30 Prozent weniger dynamische Leistung und 55 Prozent weniger Leckstrom, so Samsumg. Bei der Entwicklung des Prozesses habe man mit seinen Partnern zusammengearbeitet und in das SoC-Design verschiedene Partner-IPs implementiert, darunter ARM 1176 Core, ARM Physical IP, bestehend aus Standard-Zellen, Memory Compilern und I/Os sowie USB 2.0 OTG von Synopsys.