Hynix startet Massenfertigung von 20-nm-Flashspeicher

Der globale Bedarf an NAND-Flashspeicher wächst mehr und mehr. Um die Speicherchips günstiger und mit höherer Kapazität anbieten zu können, setzen die Hersteller auf kleinere Strukturen bei der Fertigung. Das Unternehmen Hynix kündigt nun die beginnende Massenproduktion von 64-Gbit-Chips in 20 nm an.

Dank der kleineren Strukturbreite konnte man die Speicherdichte pro Einheit im Vergleich zu den üblichen 32-Gbit-Chips verdoppeln. Die neue 20-nm-Technik, die man bereits im vergangenen Februar entwickelte, soll zudem die Produktivität gegenüber dem bisherigen 30-nm-Prozess um 60 Prozent erhöhen, wodurch die Herstellungskosten sinken. Kommende Geräte auf Basis der neuen Chips könnten somit kleiner ausfallen oder ein höheres Speichervolumen besitzen.

Genau wie beim aktuellen 30-nm-Speicher will man kommende Flash-Lösungen mit Controllern vom israelischen Hersteller Anobit kombinieren. Diese Produktlösungen sollen sich durch hohe Geschwindigkeit und verbesserte Zuverlässigkeit beim Einsatz als Massenspeicher auszeichnen. Die Validierung der 20-nm-Speicherchips soll im September dieses Jahres erfolgen. Anschließend dürften die Speicherzellen ihren Weg vorwiegend in mobile Endgeräte wie Smartphones, Tablet-PCs und ähnliche finden, wie der Vizepräsident und Leiter der technischen Abteilung Dr. S.W. Park erklärte.