HP und Hynix entwickeln Speicher-Technologie

Hewlett Packard und Hynix sind eine Partnerschaft zur Entwicklung einer neuartigen Speichertechnologie eingegangen. Durch die künftige Zusammenarbeit will man dem sogenannten „Memristor“ zum Durchbruch verhelfen.

Der Name steht für memory resistor und stellt – neben Kondensatoren, Spulen und Widerständen – das „vierte Element“ der passiven Schaltungen dar. Die Technik an sich wurde schon 1971 an der University of California in Berkeley entwickelt, die praktische Umsetzung hat jedoch bis 2008 angedauert. Dazu wurden zwischen Platinkontakten zwei Titandioxid-Schichten aufgebracht und eine der beiden mit einigen Sauerstoffatomen dotiert. Die Fehlstellen dieser „verunreinigten“ Schicht leiteten gut, die andere, „reine“ isoliert. Wird nun eine Spannung angelegt, wandern die Sauerstoff-Atome in die bisher isolierende Schicht hinüber, wodurch diese leitend wird und der Gesamtwiderstand sich erheblich verändert. Abhängig von der Richtung, in die eine Ladung nun fließt, ändert sich nun der Widerstand; der Vorgang ist somit auch reversibel. Das Bauteil hat somit ein „passives Gedächtnis“, das eine dauerhafte Datenspeicherung auch ohne Stromzufuhr (wie sie etwa ein Arbeitsspeicher brauchen würde) ermöglicht.

Laut diversen Äußerungen HPs soll die Memristor-Technologie eine geringere Stromaufnahme, eine höhere Speicherdichte, höhere Schreib- und Lese-Geschwindigkeiten und eine de facto unbegrenzte Anzahl an Schreibzyklen bieten. Auch sei es möglich, Memristoren zur Abarbeitung von logischen Operationen zu verwenden, was eine Verwendung für Speichersysteme ermöglichen könnte, die ohne Belastung der CPU eigene Berechnungen durchführen können.

HP möchte sich nun gemeinsam mit Hynix, dem zweitgrößten DRAM-Hersteller der Welt, der eigentlichen Produktentwicklung und der folgenden Massenfertigung des sogenannten ReRAMs (Resistive Random Access Memorys) widmen. Die Einführung erster Produkte sei in drei Jahren geplant.